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晶体管
DMG1016UDW-7参考图片

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DMG1016UDW-7

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET 20V Vdss 6V VGSS Complementary Pair
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库存：377,017(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.3787
3.3787
10
¥2.2261
22.261
100
¥0.95259
95.259
1,000
¥0.72998
729.98
3,000
¥0.5537
1661.1
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-363-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
1.066 A, 845 mA
Rds On-漏源导通电阻
450 mOhms, 750 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
500 mV
Vgs - 栅极-源极电压
4.5 V
Qg-栅极电荷
736.6 nC, 622.4 pC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
330 mW
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
产品
MOSFET Small Signal
系列
DMG1016
晶体管类型
1 N-Channel, 1 P-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
12.3 ns, 20.72 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7.4 ns, 8.1 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
26.7 ns, 28.4 ns
典型接通延迟时间
5.1 ns, 5.1 ns
单位重量
6 mg
商品其它信息
优势价格，DMG1016UDW-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SIHD180N60E-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 650V Vds; 30V Vgs DPAK (TO-252)
1:¥22.1254
10:¥18.3625
100:¥15.142
250:¥14.5996
2,000:¥10.5316
4,000:查看
参考库存:13225
APT13F120B
Microsemi
晶体管
MOSFET Power FREDFET - MOS8
1:¥84.8291
10:¥77.1451
25:¥71.303
50:¥67.461
参考库存:47556
SI4103DY-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET -30V Vds 20V Vgs SO-8
1:¥5.989
10:¥4.8025
100:¥3.6386
500:¥3.0171
1,000:¥2.4182
2,500:¥2.1809
参考库存:8127
IPB100N08S2L07ATMA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 75V 100A D2PAK-2 OptiMOS
1:¥21.2101
10:¥17.9783
100:¥14.3736
500:¥12.5995
1,000:¥10.4525
参考库存:8109
DMHC4035LSD-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET 30V Comp H-Bridge ENH FET 20VGS
1:¥6.3054
10:¥5.3788
100:¥4.1358
500:¥3.6612
1,000:¥2.8815
2,500:¥2.8815
参考库存:51676

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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