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晶体管
APT13F120B参考图片

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APT13F120B

  • Microsemi
  • 新批次
  • MOSFET Power FREDFET - MOS8
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库存:47,556(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥84.8291
84.8291
10
¥77.1451
771.451
25
¥71.303
1782.575
50
¥67.461
3373.05
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
1.2 kV
Id-连续漏极电流
14 A
Rds On-漏源导通电阻
910 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
145 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
625 W
通道模式
Enhancement
商标名
POWER MOS 8
封装
Tube
高度
5.31 mm
长度
21.46 mm
宽度
16.26 mm
商标
Microchip / Microsemi
正向跨导 - 最小值
15 S
下降时间
24 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
15 ns
工厂包装数量
1
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
85 ns
典型接通延迟时间
26 ns
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,APT13F120B的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET T6 40V HEFET
5,000:¥7.2659
10,000:¥6.9834
参考库存:101932
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 20V 10A
2,500:¥3.955
10,000:¥3.8081
25,000:¥3.6838
参考库存:28698
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 1000W -45Vceo
2,500:¥1.00683
参考库存:28703
晶体管
JFET P-Ch JFET 30Vgd Engineering Hold
7,000:¥1.01474
10,500:¥0.95259
28,000:¥0.87575
52,500:¥0.83733
101,500:¥0.80682
参考库存:28708
晶体管
MOSFET TRENCH 6 60V NFET
5,000:¥2.3165
10,000:¥2.2261
25,000:¥2.147
参考库存:26949
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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