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晶体管
STI11NM80参考图片

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STI11NM80

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 800V 0.35 Ohm 11 A MDmesh
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数量单价合计
1,000
¥29.6625
29662.5
2,000
¥28.5099
57019.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-262-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
800 V
Id-连续漏极电流
8 A
Rds On-漏源导通电阻
400 mOhms
Pd-功率耗散
150 W
配置
Single
商标名
MDmesh
封装
Tube
系列
STI11NM80
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
单位重量
1.438 g
商品其它信息
优势价格,STI11NM80的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor
10,000:¥0.9379
20,000:¥0.89157
50,000:¥0.86784
100,000:¥0.83733
参考库存:31458
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRFE6VP6600GN/FM4///REEL 13 Q2 DP
250:¥654.5186
参考库存:31463
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双极晶体管 - 预偏置 200MW 10K
3,000:¥0.24634
9,000:¥0.2147
24,000:¥0.20001
45,000:¥0.18419
参考库存:31468
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Super E-Line
2,000:¥3.1075
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30:¥365.9166
60:¥365.8375
120:¥331.5646
270:¥320.1177
参考库存:31475
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    50万现货SKU

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