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晶体管
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STWA68N60M6

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库存:7,140(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥74.9981
74.9981
10
¥67.7774
677.774
25
¥64.6247
1615.6175
100
¥56.0932
5609.32
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
63 A
Rds On-漏源导通电阻
41 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.25 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
106 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
390 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
系列
STWA68N60M6
晶体管类型
1 N Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
27 ns
工厂包装数量
600
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
130 ns
典型接通延迟时间
42 ns
商品其它信息
优势价格,STWA68N60M6的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 40V 50A P-CH MOSFET
1:¥11.6051
10:¥9.5259
100:¥7.3337
500:¥6.3054
2,000:¥6.3054
参考库存:2959
晶体管
IGBT 模块 IGBT MODULES 650V 75A
1:¥393.4999
5:¥384.7424
10:¥367.137
25:¥351.769
参考库存:3031
晶体管
达林顿晶体管 Hi-Vltg Hi-Crnt Darl Transistor Arrays
1:¥5.2997
10:¥4.3844
100:¥2.825
1,000:¥2.2713
2,000:¥2.0566
参考库存:4338
晶体管
MOSFET HIGH POWER_NEW
1:¥35.5046
10:¥30.1936
100:¥26.2047
250:¥24.8148
500:¥22.2836
参考库存:4130
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 100mA 30V Dual NPN
1:¥1.695
10:¥1.1639
100:¥0.48364
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.26103
参考库存:112617
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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