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晶体管
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HGTG20N60B3D

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数量单价合计
1
¥40.8043
40.8043
10
¥34.7362
347.362
100
¥30.0467
3004.67
250
¥28.5099
7127.475
500
¥25.5832
12791.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.8 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
20 A
Pd-功率耗散
165 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
HGTG20N60B3D
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
40 A
高度
20.82 mm
长度
15.87 mm
宽度
4.82 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
集电极连续电流
40 A
栅极—射极漏泄电流
+/- 100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
450
子类别
IGBTs
零件号别名
HGTG20N60B3D_NL
单位重量
6.390 g
商品其它信息
优势价格,HGTG20N60B3D的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
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1:¥3.6838
10:¥2.5877
100:¥1.1865
1,000:¥0.91417
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1:¥19.9784
10:¥16.9839
100:¥13.6052
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1:¥6.3732
10:¥5.3788
100:¥4.1358
500:¥3.6612
5,000:¥2.5538
10,000:查看
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1:¥21.7412
10:¥18.5207
100:¥14.7578
500:¥12.9046
5,000:¥9.605
10,000:查看
参考库存:19129
晶体管
IGBT 模块
1:¥16,300.7585
参考库存:1681
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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