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晶体管
STLD200N4F6AG参考图片

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STLD200N4F6AG

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET Automotive-grade N-channel 40 V, 1.27 mOhm typ., 120 A STripFET F6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 dual side cooling package
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库存:8,500(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥19.9784
19.9784
10
¥16.9839
169.839
100
¥13.6052
1360.52
500
¥11.9102
5955.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerFLAT-5x6-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
120 A
Rds On-漏源导通电阻
1.27 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
172 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
158 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
STripFET
系列
STLD200N4F6AG
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
410 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
440 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
600 ns
典型接通延迟时间
150 ns
商品其它信息
优势价格,STLD200N4F6AG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET CONSUMER
1:¥7.1416
10:¥6.102
100:¥4.6895
500:¥4.1471
1,000:¥3.277
2,500:¥3.277
参考库存:15892
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS DUAL PURPOSE TRAN
1:¥2.9945
10:¥2.2487
100:¥1.2204
1,000:¥0.91417
8,000:¥0.73789
24,000:查看
参考库存:43394
晶体管
MOSFET N-Ch 80V 100A
1:¥15.5262
10:¥13.1419
100:¥10.5316
500:¥9.2208
5,000:¥6.8704
10,000:查看
参考库存:82786
晶体管
MOSFET N-Ch 600 Volt 20 Amp
1:¥47.0306
10:¥39.9568
100:¥34.6571
250:¥32.883
500:¥29.5043
参考库存:3458
晶体管
MOSFET -30V Vds 12V Vgs SC70-6
1:¥4.4522
10:¥2.9945
100:¥2.034
500:¥1.6272
3,000:¥1.12209
6,000:查看
参考库存:33400
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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