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晶体管
STLD200N4F6AG参考图片

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STLD200N4F6AG

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET Automotive-grade N-channel 40 V, 1.27 mOhm typ., 120 A STripFET F6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 dual side cooling package
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库存:8,500(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥19.9784
19.9784
10
¥16.9839
169.839
100
¥13.6052
1360.52
500
¥11.9102
5955.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerFLAT-5x6-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
120 A
Rds On-漏源导通电阻
1.27 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
172 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
158 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
STripFET
系列
STLD200N4F6AG
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
410 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
440 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
600 ns
典型接通延迟时间
150 ns
商品其它信息
优势价格,STLD200N4F6AG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET SWITCHING DEVICE
1:¥5.537
10:¥4.5765
100:¥2.9493
1,000:¥2.3617
3,000:¥2.3617
参考库存:28312
晶体管
MOSFET P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
1:¥3.2318
10:¥2.1018
100:¥0.89948
1,000:¥0.69156
3,000:¥0.52997
参考库存:39604
晶体管
MOSFET SINGLE P-CHANNEL
1:¥2.9154
10:¥2.0566
100:¥0.94468
1,000:¥0.72998
3,000:¥0.62263
参考库存:160331
晶体管
MOSFET N-CH 900V HEXFET MOSFET
1:¥28.0466
10:¥23.2102
100:¥19.1309
250:¥18.5207
500:¥16.5997
参考库存:11923
晶体管
MOSFET 100V N-Channel Pwr Trench
1:¥11.6051
10:¥9.9101
100:¥7.6049
500:¥6.7235
800:¥5.2997
参考库存:15140
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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