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晶体管
EFC3J018NUZTDG参考图片

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EFC3J018NUZTDG

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET PWR MOSFET FOR LITH BATT PRT DUAL N-CHAN
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库存:26,197(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.3732
6.3732
10
¥5.3788
53.788
100
¥4.1358
413.58
500
¥3.6612
1830.6
5,000
¥2.5538
12769
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
WLCSP-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
23 A
Rds On-漏源导通电阻
4.7 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
500 mV
Vgs - 栅极-源极电压
4.5 V
Qg-栅极电荷
75 nC
最小工作温度
-
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.5 W
配置
Dual
通道模式
Depletion
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
EFC3J018NUZ
晶体管类型
Dual N-Channel
商标
ON Semiconductor
下降时间
2800 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
890 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
4100 ns
典型接通延迟时间
280 ns
商品其它信息
优势价格,EFC3J018NUZTDG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Nch 60V Vdss 8A ID TO-252(DPAK); TO-252
1:¥9.4468
10:¥8.0682
100:¥6.2037
500:¥5.4918
1,000:¥4.3392
2,500:¥3.842
参考库存:15775
晶体管
MOSFET T6 60V NCH LL U8FL
1:¥6.4523
10:¥5.4466
100:¥4.1923
500:¥3.6951
1,500:¥2.5877
9,000:查看
参考库存:15542
晶体管
达林顿晶体管 NPN Darlington
1:¥2.5312
10:¥1.7628
100:¥0.73789
1,000:¥0.50737
3,000:¥0.39211
参考库存:306604
晶体管
MOSFET N-Chnl 100V
1:¥5.1528
10:¥4.2827
100:¥2.7685
1,000:¥2.2148
4,000:¥2.2148
参考库存:28671
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Super E-Line
1:¥6.5314
10:¥5.4805
100:¥3.5369
1,000:¥2.825
参考库存:33233
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

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