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晶体管
IPD038N06N3 G参考图片

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IPD038N06N3 G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 60V 90A DPAK-2 OptiMOS 3
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库存:10,355(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥12.5204
12.5204
10
¥10.6785
106.785
100
¥8.2264
822.64
500
¥7.2885
3644.25
2,500
¥5.1076
12769
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
90 A
Rds On-漏源导通电阻
3.8 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
188 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.22 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
70 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
40 ns
典型接通延迟时间
30 ns
零件号别名
IPD038N06N3GATMA1 IPD38N6N3GXT SP000397994
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,IPD038N06N3 G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
达林顿晶体管 . .
4,000:¥1.6046
10,000:¥1.5029
25,000:¥1.4238
50,000:¥1.3786
参考库存:30301
晶体管
MOSFET
1:¥3,359.6708
5:¥3,313.4199
10:¥3,197.4706
25:¥3,081.5891
参考库存:30306
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
100:¥1,048.4027
参考库存:30311
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 N-CH -25V 10mA BULK Engineering Hold
5,000:¥2.4182
10,000:¥2.3278
25,000:¥2.2374
参考库存:30316
晶体管
MOSFET 25V 36A 7.8W 2.7mohm @ 10V
2,500:¥8.9157
5,000:¥8.5315
10,000:¥8.2264
参考库存:30321
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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

    物料均可追溯

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