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晶体管
TGF2979-SM参考图片

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TGF2979-SM

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 8-12GHz 25W GaN PAE 50% Gain 11dB
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库存:4,095(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥476.408
476.408
25
¥412.0206
10300.515
100
¥356.3794
35637.94
250
¥331.4064
82851.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
发货限制:
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
11 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
32 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 2.7 V
Id-连续漏极电流
1.8 A
输出功率
22 W
最大工作温度
+ 225 C
Pd-功率耗散
49 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
QFN-20
封装
Tray
配置
Single
高度
0.203 mm
长度
4 mm
工作频率
DC to 12 GHz
产品
RF JFET Transistor
类型
GaN SiC HEMT
宽度
3 mm
商标
Qorvo
通道数量
1 Channel
开发套件
TGF2979-SMEVB1
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
Transistors
零件号别名
1127378
单位重量
123 mg
商品其它信息
优势价格,TGF2979-SM的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ., 12 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 package
1:¥21.2101
10:¥17.9783
100:¥14.3736
500:¥12.5995
1,000:¥10.4525
参考库存:4485
晶体管
MOSFET N-Ch 30V 79A TDSON-8 OptiMOS 3
1:¥6.0681
10:¥5.0624
100:¥3.2657
1,000:¥2.6103
5,000:¥2.2035
参考库存:26762
CEL
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 12GHz NF .3dB Ga 13.7dB -55C +125C
1:¥8.8366
10:¥6.7574
100:¥4.9155
500:¥4.181
10,000:¥3.0736
20,000:查看
参考库存:120659
晶体管
MOSFET 600V 23A N-Chnl SuperFET Easy-Drive
1:¥20.9728
10:¥17.8314
100:¥15.4471
250:¥14.5996
参考库存:4306
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP -30V Vceo -2A Ic MPT3
1:¥3.616
10:¥2.7007
100:¥1.469
1,000:¥1.09836
2,000:¥0.95259
参考库存:13388
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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