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晶体管
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STF18NM60ND

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-CH 600V 0.25Ohm 13A Fdmesh II
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数量单价合计
1
¥20.3626
20.3626
10
¥17.289
172.89
100
¥14.9838
1498.38
250
¥14.2154
3553.85
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
13 A
Rds On-漏源导通电阻
290 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
34 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
30 W
配置
Single
封装
Tube
系列
STF18NM60ND
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
18 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
15.5 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
13 ns
典型接通延迟时间
55 ns
单位重量
330 mg
商品其它信息
优势价格，STF18NM60ND的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FD300R07PE4_B6
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 IGBT Module 300A 650V
1:¥1,209.6876
5:¥1,180.5675
10:¥1,151.2892
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NSBA124EF3T5G
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双极晶体管 - 预偏置 SOT-1123 PBRT TRANSISTOR
1:¥2.6894
10:¥2.0453
100:¥1.10627
1,000:¥0.82942
8,000:¥0.66896
24,000:查看
参考库存:41311
SUP85N10-10-GE3
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1:¥51.2568
10:¥42.488
100:¥34.9622
250:¥33.8887
参考库存:3813
IKW75N60T
Infineon Technologies
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1:¥63.619
10:¥57.4718
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100:¥47.5617
参考库存:2735
TIG058E8-TL-H
ON Semiconductor
晶体管
IGBT 晶体管 LIGHT-CONTROLLING FLASH
1:¥6.3732
10:¥5.2432
100:¥3.3787
1,000:¥2.7007
3,000:¥2.2939
参考库存:11637

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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