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晶体管
SIHF15N60E-GE3参考图片

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SIHF15N60E-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
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数量单价合计
1
¥26.2838
26.2838
10
¥24.6679
246.679
100
¥19.21
1921
250
¥18.2156
4553.9
500
¥15.5262
7763.1
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
15 A
Rds On-漏源导通电阻
280 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
39 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
34 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
系列
E
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
22 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
26 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
41 ns
典型接通延迟时间
16 ns
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，SIHF15N60E-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BFP740H6327XTSA1
Infineon Technologies
晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥3.842
10:¥3.2092
100:¥1.9549
1,000:¥1.5142
3,000:¥1.2882
参考库存:21465
MJE172G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 3A 80V 12.5W PNP
1:¥4.3844
10:¥3.6838
100:¥2.2487
1,000:¥1.7402
参考库存:33212
FQP19N20C
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 200V N-Channel Advance Q-FET
1:¥11.2209
10:¥9.5259
100:¥7.3563
500:¥6.4975
1,000:¥5.1302
参考库存:11699
FQP85N06
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 60V N-Channel QFET
1:¥20.4417
10:¥17.3681
100:¥13.9103
500:¥12.1362
参考库存:14781
DRC2143Z0L
Panasonic
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS W/ BLT-IN RES GL WNG 2.9x2.8mm
3,000:¥0.52997
9,000:¥0.47686
24,000:¥0.44522
45,000:¥0.3842
参考库存:32980

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    50万现货SKU

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