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晶体管
STP55NF06FP参考图片

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STP55NF06FP

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 60 Volt 55 Amp
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899.48
500
¥7.91
3955
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
50 A
Rds On-漏源导通电阻
15 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
44.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
30 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
STripFET
封装
Tube
高度
9.3 mm
长度
10.4 mm
系列
STP55NF06FP
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
4.6 mm
商标
STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值
18 S
下降时间
15 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
50 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
36 ns
典型接通延迟时间
20 ns
单位重量
2.040 g
商品其它信息
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