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晶体管
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FQP85N06

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数量单价合计
1
¥20.4417
20.4417
10
¥17.3681
173.681
100
¥13.9103
1391.03
500
¥12.1362
6068.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
85 A
Rds On-漏源导通电阻
10 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
160 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
QFET
封装
Tube
高度
16.3 mm
长度
10.67 mm
系列
FQP85N06
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
4.7 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
54 S
下降时间
170 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
230 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
175 ns
典型接通延迟时间
40 ns
零件号别名
FQP85N06_NL
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格,FQP85N06的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
JFET JFET N-Channel -20V 10mA 225mW 1.8mW
1:¥35.5724
10:¥28.589
100:¥23.4362
500:¥21.131
参考库存:21709
晶体管
MOSFET N-channel 600 V, 0.06 Ohm typ., 42 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO247-4 package
1:¥70.9188
10:¥64.1614
25:¥61.1669
参考库存:4081
晶体管
MOSFET N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 3
1:¥12.0684
10:¥10.2943
100:¥7.91
500:¥7.0286
1,000:¥5.5483
5,000:¥5.5483
参考库存:53178
晶体管
射频(RF)双极晶体管 Radio-Frequency Bipolar Transistor
1:¥3.1527
10:¥2.0792
100:¥1.1639
1,000:¥0.84524
3,000:¥0.72998
参考库存:115065
晶体管
MOSFET N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T2
1:¥5.9212
10:¥4.972
100:¥3.2092
1,000:¥2.5651
2,500:¥2.1696
参考库存:77407
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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