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晶体管
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R6006ANDTL

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET LO CURR HI EFF MOSFT HI BREAKDWN RESIST
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数量单价合计
1
¥16.3624
16.3624
10
¥13.9103
139.103
100
¥11.1418
1114.18
500
¥9.7632
4881.6
2,500
¥7.5032
18758
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
6 A
Rds On-漏源导通电阻
900 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
15 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
40 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel
商标
ROHM Semiconductor
正向跨导 - 最小值
1.7 S
下降时间
35 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
36 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
50 ns
典型接通延迟时间
22 ns
零件号别名
R6006AND
单位重量
340 mg
商品其它信息
优势价格,R6006ANDTL的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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    50万现货SKU

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