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晶体管
STGP35HF60W参考图片

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STGP35HF60W

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 35A Ultrafast IGBT 600V 100kHz
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库存:8,766(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥21.357
21.357
10
¥18.1365
181.365
100
¥15.6731
1567.31
250
¥14.9047
3726.175
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.65 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
60 A
Pd-功率耗散
200 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
STGP35HF60W
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
35 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
单位重量
2.300 g
商品其它信息
优势价格,STGP35HF60W的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 60-V Dual N-Channel Power MOSFET
1:¥6.6105
10:¥5.6048
100:¥4.3166
500:¥3.8081
2,500:¥2.6781
10,000:查看
参考库存:140195
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥745.8904
2:¥722.7593
5:¥722.522
10:¥699.244
参考库存:1637
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 60Vcbo 40Vceo 5.0Vebo 0.6A 0.8W
1:¥17.063
10:¥15.2098
100:¥12.1362
500:¥10.5994
参考库存:2604
晶体管
MOSFET N-Ch 600V 11A D2PAK-2 CoolMOS CPA
1:¥20.3626
10:¥17.289
100:¥14.9838
250:¥14.2154
1,000:¥10.7576
2,000:查看
参考库存:6536
晶体管
MOSFET 90V 4Ohm
1:¥87.5976
10:¥86.3659
25:¥80.2978
100:¥72.772
参考库存:5663
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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