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晶体管
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STP8N120K5

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 1200 V, 1.65 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package
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数量单价合计
1
¥45.7198
45.7198
10
¥38.8833
388.833
100
¥33.6514
3365.14
250
¥31.9677
7991.925
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
1.2 kV
Id-连续漏极电流
6 A
Rds On-漏源导通电阻
2 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
13.7 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
130 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
系列
STP8N120K5
商标
STMicroelectronics
下降时间
27 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
11 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
40 ns
典型接通延迟时间
15.5 ns
商品其它信息
优势价格，STP8N120K5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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