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晶体管
FDC3601N参考图片

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FDC3601N

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库存:150,842(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.5313
4.5313
10
¥3.729
37.29
100
¥2.4069
240.69
1,000
¥1.921
1921
3,000
¥1.6159
4847.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SSOT-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
1 A
Rds On-漏源导通电阻
500 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
960 mW
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
PowerTrench
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
2.9 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
FDC3601N
晶体管类型
2 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
1.6 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
3.6 S
下降时间
4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
4 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
11 ns
典型接通延迟时间
8 ns
零件号别名
FDC3601N_NL
单位重量
36 mg
商品其它信息
优势价格,FDC3601N的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Power MOSFET
1:¥64.7716
10:¥58.3193
25:¥53.0987
50:¥49.2567
参考库存:24967
晶体管
IGBT 模块 1700V 150A DUAL
1:¥1,590.5089
5:¥1,552.2471
10:¥1,513.6689
25:¥1,492.4588
参考库存:24972
晶体管
MOSFET AUTO 40V 1 N-CH HEXFET 4mOhms
暂无价格
参考库存:24977
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Transistor 300mW
1:¥1.695
10:¥1.5368
100:¥1.00683
1,000:¥0.33787
3,000:¥0.27685
参考库存:24982
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS W/ BLT-IN RES FLT LD 1.6x1.6mm
3,000:¥0.52997
9,000:¥0.46895
24,000:¥0.43844
参考库存:24987
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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  • 降低成本

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