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BSM150GB170DLC

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数量单价合计
1
¥1,590.5089
1590.5089
5
¥1,552.2471
7761.2355
10
¥1,513.6689
15136.689
25
¥1,492.4588
37311.47
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
否
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
1700 V
集电极—射极饱和电压
2.6 V
在25 C的连续集电极电流
300 A
栅极—射极漏泄电流
200 nA
Pd-功率耗散
1.25 kW
封装 / 箱体
62 mm
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
30.5 mm
长度
106.4 mm
宽度
61.4 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
BSM150GB170DLCHOSA1 SP000100710
商品其它信息
优势价格，BSM150GB170DLC的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
STP42N65M5
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-Ch 650 Volt 33 Amp
1:¥85.7557
10:¥77.2242
25:¥70.3086
100:¥63.393
参考库存:9938
SPD08P06PGBTMA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET P-Ch -60V -8.8A DPAK-2
1:¥6.9947
10:¥5.8082
100:¥3.7516
1,000:¥3.0058
2,500:¥2.5312
参考库存:26690
2N5152L
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥113.4972
250:¥103.5758
500:¥93.2024
1,000:¥86.5241
参考库存:34097
2N5661
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥152.6856
250:¥140.233
500:¥129.1703
参考库存:34102
2N6989U/TR
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥390.8896
200:¥369.058
参考库存:34107

  • 海量现货

    50万现货SKU

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