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晶体管
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BSC0911ND

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库存:25,866(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥12.6786
12.6786
10
¥10.7576
107.576
100
¥8.6106
861.06
500
¥7.571
3785.5
5,000
¥5.6274
28137
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TISON-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
25 V
Id-连续漏极电流
40 A
Rds On-漏源导通电阻
2.5 mOhms, 900 uOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
12 nC, 37 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.5 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.27 mm
长度
5.9 mm
晶体管类型
2 N-Channel
宽度
5.15 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
38 S, 65 S
下降时间
2.2 ns, 4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
2.8 ns, 5.4 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
15 ns, 25 ns
典型接通延迟时间
3.3 ns, 3.8 ns
零件号别名
BSC0911NDATMA1 BSC911NDXT SP000934746
商品其它信息
优势价格,BSC0911ND的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ., 12 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 package
1:¥21.2101
10:¥17.9783
100:¥14.3736
500:¥12.5995
1,000:¥10.4525
参考库存:4485
晶体管
MOSFET N-Ch 30V 79A TDSON-8 OptiMOS 3
1:¥6.0681
10:¥5.0624
100:¥3.2657
1,000:¥2.6103
5,000:¥2.2035
参考库存:26762
CEL
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 12GHz NF .3dB Ga 13.7dB -55C +125C
1:¥8.8366
10:¥6.7574
100:¥4.9155
500:¥4.181
10,000:¥3.0736
20,000:查看
参考库存:120659
晶体管
MOSFET 600V 23A N-Chnl SuperFET Easy-Drive
1:¥20.9728
10:¥17.8314
100:¥15.4471
250:¥14.5996
参考库存:4306
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP -30V Vceo -2A Ic MPT3
1:¥3.616
10:¥2.7007
100:¥1.469
1,000:¥1.09836
2,000:¥0.95259
参考库存:13388
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

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