GB100XCP12-227详细信息_GB100XCP12-227相关参数PDF

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	GeneSiC Semiconductor
产品种类	IGBT 模块
RoHS	是
技术	SiC
产品	IGBT Silicon Carbide Modules
配置	IGBT-Inverter
集电极—发射极最大电压 VCEO	1200 V
集电极—射极饱和电压	1.9 V
栅极—射极漏泄电流	400 nA
封装 / 箱体	SOT-227
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 175 C
封装	Bulk
系列	GB100XCP12
商标	GeneSiC Semiconductor
安装风格	SMD/SMT
栅极/发射极最大电压	20 V
产品类型	IGBT Modules
工厂包装数量	10
子类别	IGBTs
单位重量	30 g

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
SI7818DN-T1-GE3	Vishay / Siliconix	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 150V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8	1:¥12.9046 10:¥10.6785 100:¥8.2264 500:¥7.0173 1,000:¥5.537 3,000:¥5.537	参考库存:161965
2SAR542PFRAT100	ROHM Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP SOT-89 -5A 200 to 500hFE -30V	1:¥4.6104 10:¥3.7742 100:¥2.3052 1,000:¥1.7854	参考库存:13277
MJW21194G	ON Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 16A 250V 200W NPN	1:¥31.5835 10:¥26.8149 100:¥23.278 250:¥22.0576 500:¥19.8202	参考库存:27749
DMTH4004SCTB-13	Diodes Incorporated	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 40V 175c N-Ch FET 3mOhm 10Vgs 100A	1:¥11.6051 10:¥9.9101 100:¥7.6049 500:¥6.7235 800:¥5.2997	参考库存:3146
DMN2028UFU-7	Diodes Incorporated	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Ch Enh Mode FET 20Vdss 10Vgss 40A	1:¥3.1527 10:¥2.6329 100:¥1.6159 1,000:¥1.243 3,000:¥1.05994	参考库存:2078