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晶体管
BSG0811NDATMA1参考图片

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BSG0811NDATMA1

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库存:13,491(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥16.3624
16.3624
10
¥13.9103
139.103
100
¥11.1418
1114.18
500
¥9.7632
4881.6
5,000
¥7.2659
36329.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TISON-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
25 V
Id-连续漏极电流
50 A
Rds On-漏源导通电阻
2.4 mOhms, 700 uOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
16 V
Qg-栅极电荷
8.4 nC, 29 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
6.25 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.15 mm
长度
6 mm
系列
OptiMOS 5
晶体管类型
2 N-Channel
宽度
5 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
46 S, 90 S
下降时间
1.4 ns, 2.6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
4.7 ns, 4.3 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
4.3 ns, 8.8 ns
典型接通延迟时间
4.3 ns, 5.6 ns
零件号别名
BSG0811ND SP001075902
商品其它信息
优势价格,BSG0811NDATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET RAIL PWR-MOS
1:¥6.9947
10:¥5.7969
100:¥3.7403
1,000:¥2.9945
参考库存:26434
晶体管
MOSFET 24A 60V N-Channel
1:¥7.2207
10:¥5.9438
100:¥3.842
1,000:¥3.0736
2,500:¥2.5877
参考库存:28516
晶体管
IGBT 模块
1:¥3,145.2194
5:¥2,955.6506
参考库存:1468
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 80 V, 1 A NPN medium power transistors
1:¥3.5369
10:¥2.3052
100:¥0.99892
1,000:¥0.7684
3,000:¥0.61472
参考库存:266740
晶体管
MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5
1:¥11.6051
10:¥9.5259
100:¥7.3111
500:¥6.2828
1,000:¥4.9607
3,000:¥4.9607
参考库存:53537
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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