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晶体管
BSC011N03LSATMA1参考图片

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BSC011N03LSATMA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS
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库存:48,025(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥11.9102
11.9102
10
¥10.2152
102.152
100
¥7.8422
784.22
500
¥6.9382
3469.1
5,000
¥4.859
24295
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
900 uOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
96 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
96 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.27 mm
长度
5.9 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.15 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
85 S
下降时间
6.2 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8.8 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
37 ns
典型接通延迟时间
6.7 ns
零件号别名
BSC011N03LS BSC11N3LSXT SP000799082
单位重量
300 mg
商品其它信息
优势价格,BSC011N03LSATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
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5,000:¥7.2659
10,000:¥6.9834
参考库存:101932
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2,500:¥3.955
10,000:¥3.8081
25,000:¥3.6838
参考库存:28698
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 1000W -45Vceo
2,500:¥1.00683
参考库存:28703
晶体管
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7,000:¥1.01474
10,500:¥0.95259
28,000:¥0.87575
52,500:¥0.83733
101,500:¥0.80682
参考库存:28708
晶体管
MOSFET TRENCH 6 60V NFET
5,000:¥2.3165
10,000:¥2.2261
25,000:¥2.147
参考库存:26949
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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