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晶体管
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BSS83PH6327XT

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数量单价合计
1
¥3.2318
3.2318
10
¥2.2939
22.939
100
¥1.05316
105.316
1,000
¥0.80682
806.82
3,000
¥0.69156
2074.68
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
330 mA
Rds On-漏源导通电阻
1.4 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
3.57 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
360 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
2.9 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
BSS83
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
1.3 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
240 mS
下降时间
61 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
71 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
56 ns
典型接通延迟时间
23 ns
零件号别名
BSS83P BSS83PH6327XTSA1 H6327 SP000702486
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格，BSS83PH6327XT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2N5021
InterFET
晶体管
JFET P-Ch -50V JFET 50mA 500mW 4mW 1nA
1:¥93.4397
10:¥76.614
100:¥63.5512
500:¥57.9351
参考库存:36186
2731GN-200M
Microsemi
晶体管
射频(RF)双极晶体管 S-Band/GaN Transistor
5:¥4,744.5649
参考库存:36191
FDPF10N50UT
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 500V 8A N-Chan UniFET
1,000:¥5.4805
2,000:¥4.859
10,000:¥4.6782
参考库存:36196
FS225R12OE4P
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块
4:¥2,746.3407
8:¥2,680.2583
12:¥2,613.7126
28:¥2,577.0554
参考库存:36201
MPS6652
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) HIGH CRNT AMP TRNSTR
5,000:¥1.4012
10,000:¥1.2995
25,000:¥1.2317
50,000:¥1.2091
参考库存:36206

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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    科技智能大仓储

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