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晶体管
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SGP15N120

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 FAST IGBT NPT TECH 1200V 15A
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库存：32,916(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥38.8042
38.8042
10
¥32.9621
329.621
100
¥28.589
2858.9
250
¥27.12
6780
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
栅极/发射极最大电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
SGP15N120
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
30 A
高度
9.25 mm
长度
10 mm
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
500
子类别
IGBTs
零件号别名
SGP15N120XKSA1 SGP15N12XK SP000683122
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，SGP15N120的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FDMS8888
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET N-Channel PwrTrench 30V 21A 9.5mOhm
1:¥4.6895
10:¥3.8872
100:¥2.373
1,000:¥1.8419
3,000:¥1.5594
参考库存:16291
PBSS4230PANP,115
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 30V 2A NPN/PNP lo VCEsat transistor
1:¥3.6838
10:¥3.051
100:¥1.8645
1,000:¥1.4351
3,000:¥1.2317
参考库存:11293
ZXTD619MCTA
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Dual 50V NPN Low Sat 4A Ic 68mOhm 6A HFE
1:¥6.3054
10:¥5.2432
100:¥3.3787
1,000:¥2.7007
3,000:¥2.7007
参考库存:10450
CSD18532Q5BT
Texas Instruments
晶体管
MOSFET 60V, N-channel NexFET Pwr MOSFET
1:¥18.2834
10:¥15.594
100:¥12.4526
250:¥12.4526
500:¥10.8367
参考库存:5642
NTD4979N-35G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET NFET DPAK 30V 41A 9MOHM
1:¥4.6895
10:¥3.8872
100:¥2.373
1,000:¥1.8419
参考库存:10964

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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