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晶体管
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RSD150N06TL

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET N-Channel Mosfet 100V, 10A, 4V gate drive
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数量单价合计
1
¥8.8366
8.8366
10
¥7.5258
75.258
100
¥5.7856
578.56
500
¥5.1189
2559.45
2,500
¥3.5821
8955.25
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
15 A
Rds On-漏源导通电阻
28 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
18 nC
Pd-功率耗散
20 W
配置
Single
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
RSD150N06
晶体管类型
1 N-Channel
商标
ROHM Semiconductor
下降时间
15 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
30 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
45 ns
典型接通延迟时间
10 ns
零件号别名
RSD150N06
商品其它信息
优势价格，RSD150N06TL的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IPD65R660CFDATMA2
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Diodes Incorporated
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3,000:¥0.3842
9,000:¥0.32996
24,000:¥0.30736
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