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晶体管
IPD65R660CFDATMA2参考图片

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IPD65R660CFDATMA2

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET 650V CoolMOS CFD2 is Infineon's second generation of market leading high voltage CoolMOS MOSFETs with integrated fast body diode. The CFD2 devices are the successor of 600V CFD with improved energy efficiency. The softer commutation behavior and ther
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库存：29,782(价格仅供参考)
数量单价合计
2,500
¥4.6443
11610.75
10,000
¥4.4635
44635
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
6 A
Rds On-漏源导通电阻
660 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
22 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
62.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Reel
系列
CFD2
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Infineon Technologies
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
40 ns
典型接通延迟时间
9 ns
零件号别名
IPD65R660CFD
商品其它信息
优势价格，IPD65R660CFDATMA2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BSC025N03MSGATMA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 30V 100A TSDSON-8 OptiMOS 3M
1:¥9.1417
10:¥7.7631
100:¥6.0116
500:¥5.311
1,000:¥4.1923
5,000:¥4.1923
参考库存:29784
VS-50MT060WHTAPBF
Vishay Semiconductors
晶体管
IGBT 模块 600 Volt 50 Amp Half Bridge
1:¥457.198
5:¥448.8247
10:¥430.304
25:¥416.7779
参考库存:4206
TN0106N3-G-P003
Microchip Technology
晶体管
MOSFET N-Channel DMOS FET Low Threshold 2.0V
1:¥6.4523
10:¥6.3958
25:¥5.3788
100:¥4.9042
2,000:¥3.3448
4,000:查看
参考库存:10888
BSZ036NE2LSATMA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 25V 40A TDSON-8 OptiMOS
1:¥6.3054
10:¥5.3788
100:¥4.1358
500:¥3.6612
5,000:¥2.5538
10,000:查看
参考库存:16015
IRFS4115TRLPBF
Infineon / IR
晶体管
MOSFET MOSFT 150V 99A 12.1mOhm 77nC Qg
1:¥21.8994
10:¥18.5998
100:¥16.1364
250:¥15.2889
500:¥13.673
800:¥13.673
参考库存:14622

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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