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晶体管
IPP040N06N3 G参考图片

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IPP040N06N3 G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 60V 90A TO220-3 OptiMOS 3
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库存：17,042(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥12.5204
12.5204
10
¥10.6785
106.785
100
¥8.2264
822.64
500
¥7.2659
3632.95
1,000
¥5.7404
5740.4
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
90 A
Rds On-漏源导通电阻
3.3 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
98 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
188 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
61 S
下降时间
5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
70 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
40 ns
典型接通延迟时间
30 ns
零件号别名
IPP040N06N3GXKSA1 IPP4N6N3GXK SP000680788
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，IPP040N06N3 G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IRFP4321PBF
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET MOSFT 150V 78A 15.5mOhm 71nC Qg
1:¥28.6568
10:¥24.3628
100:¥21.131
250:¥20.0575
500:¥17.9783
参考库存:4137
SI4825DDY-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET -30V Vds 25V Vgs SO-8
1:¥7.2207
10:¥5.9777
100:¥4.5878
500:¥3.955
2,500:¥3.955
参考库存:34319
IPB80P04P4L-04
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET P-Ch -40V -80A D2PAK-2 OptiMOS-P2
1:¥14.5205
10:¥12.2944
100:¥9.831
500:¥8.6106
1,000:¥7.1642
参考库存:5986
2N5550TAR
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Si Transistor Epitaxial
1:¥1.695
10:¥1.10627
100:¥0.46104
1,000:¥0.31527
2,000:¥0.24634
参考库存:48438
MMBT3906LT1H
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS SOT23 GP XSTR PBFREE
1:¥0.99892
10:¥0.86106
100:¥0.30736
1,000:¥0.20792
3,000:¥0.16159
参考库存:218910

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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