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产品分类

晶体管
BCW68HE6327HTSA1参考图片

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BCW68HE6327HTSA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 45 V 800 mA
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库存:366,112(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥1.8419
1.8419
10
¥1.2882
12.882
100
¥0.53788
53.788
1,000
¥0.36838
368.38
3,000
¥0.29154
874.62
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
45 V
集电极—基极电压 VCBO
60 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
0.7 V
最大直流电集电极电流
1 A
增益带宽产品fT
250 MHz
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
BCW68
直流电流增益 hFE 最大值
630
高度
1.6 mm
长度
6.5 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
3.5 mm
商标
Infineon Technologies
集电极连续电流
800 mA
直流集电极/Base Gain hfe Min
250
Pd-功率耗散
330 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
68H BCW BCW68HE6327XT E6327 SP000015040
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格,BCW68HE6327HTSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET NFET SO8FL 100V 104A 7.7M
1:¥37.5725
10:¥31.9677
100:¥27.6624
250:¥26.2838
1,500:¥18.9049
参考库存:12897
晶体管
MOSFET N-channel 600 V, 0.395 Ohm typ., 9 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
1:¥12.2944
10:¥10.4525
100:¥8.3733
500:¥7.3337
参考库存:6959
晶体管
MOSFET HIGH POWER_NEW
1:¥26.4307
10:¥22.5096
100:¥19.5151
250:¥18.5207
500:¥16.5997
参考库存:5821
晶体管
MOSFET N Ch 300Vds 30Vgs AEC-Q101 Qualified
1:¥11.6842
10:¥9.605
100:¥7.3337
500:¥6.3054
2,000:¥4.6443
4,000:查看
参考库存:14693
晶体管
MOSFET 8V P-CHANNEL FEMTOFET
1:¥3.9211
10:¥3.2996
100:¥2.0001
1,000:¥1.5481
3,000:¥1.3221
参考库存:58955
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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