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晶体管
BC857BT116参考图片

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BC857BT116

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 45V 1MA
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库存:13,633(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥2.5312
2.5312
10
¥1.6837
16.837
100
¥0.70738
70.738
1,000
¥0.47686
476.86
3,000
¥0.37629
1128.87
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
45 V
集电极—基极电压 VCBO
50 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
最大直流电集电极电流
0.1 A
增益带宽产品fT
250 MHz
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
BC857B
直流电流增益 hFE 最大值
210 at 2 mA, 5 V
高度
0.95 mm
长度
2.9 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
1.3 mm
商标
ROHM Semiconductor
直流集电极/Base Gain hfe Min
210
Pd-功率耗散
350 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
BC857B
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格,BC857BT116的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 10V Drive Nch MOSFET
1:¥24.0464
10:¥20.4417
100:¥17.7523
250:¥16.8257
1,000:¥12.7577
2,000:查看
参考库存:8084
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Triple Diffused Planar Silicon
1:¥6.5314
10:¥5.424
100:¥3.503
1,000:¥2.8024
2,500:¥2.8024
参考库存:28476
晶体管
MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS
1:¥15.5262
10:¥13.221
100:¥10.5316
500:¥9.2208
800:¥7.6388
参考库存:15398
晶体管
MOSFET 240V 15Ohm
1:¥4.9155
10:¥4.8364
25:¥4.1132
100:¥3.7177
3,000:¥2.3617
9,000:查看
参考库存:24595
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS TrenchStop
1:¥73.5404
10:¥66.4666
25:¥63.3139
100:¥55.0197
参考库存:3437
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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