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晶体管
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MRF8S7170NR3

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 700MHz 50W OM780-2
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数量单价合计
1
¥643.3768
643.3768
5
¥630.9355
3154.6775
10
¥610.1096
6101.096
25
¥584.2891
14607.2275
250
¥523.8906
130972.65
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
70 V
增益
19.4 dB
输出功率
50 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
OM-780-2
封装
Reel
配置
Single
工作频率
728 MHz to 768 MHz
系列
MRF8S7120N
商标
NXP / Freescale
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2.3 V
零件号别名
935317133528
单位重量
3.081 g
商品其它信息
优势价格，MRF8S7170NR3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FP35R12KT4
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 IGBT-MODULE
1:¥638.0771
5:¥626.4042
10:¥598.1994
25:¥578.3001
参考库存:3797
RF4E070GNTR
ROHM Semiconductor
晶体管
MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET
1:¥3.7629
10:¥2.8928
100:¥1.5707
1,000:¥1.1752
3,000:¥1.01474
参考库存:14474
MUN2237T1G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V BRT NPN
1:¥1.3108
10:¥1.12209
100:¥0.40002
1,000:¥0.26103
3,000:¥0.20001
参考库存:154926
APT100GT120JU2
Microsemi
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
1:¥388.8895
5:¥375.8267
10:¥363.6114
25:¥336.2541
参考库存:3933
FGP5N60LS
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
IGBT 晶体管 600V/5A Field Stop Low Vcesat
1:¥11.2209
10:¥9.605
100:¥7.3902
500:¥6.5314
参考库存:6865

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    50万现货SKU

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