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晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Renesas Electronics
产品种类	射频(RF)双极晶体管
RoHS	是
系列	HFA3135
晶体管类型	Bipolar
技术	Si
晶体管极性	PNP
直流集电极/Base Gain hfe Min	15
集电极—发射极最大电压 VCEO	11 V
发射极 - 基极电压 VEBO	4.5 V
集电极连续电流	0.026 A
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 85 C
配置	Dual
封装 / 箱体	SOT-23
封装	Reel
集电极—基极电压 VCBO	12 V
直流电流增益 hFE 最大值	15 at 10 mA at 2 V, 151 mA at 2 V, 150.1 mA at 2 V, 1510 mA at 5 V, 151 mA at 5 V, 150.1 mA at 5 V
高度	1.15 mm
长度	2.9 mm
工作频率	7000 MHz (Typ)
类型	RF Bipolar Small Signal
宽度	1.6 mm
商标	Renesas / Intersil
增益带宽产品fT	7000 MHz (Typ)
最大直流电集电极电流	0.026 A
湿度敏感性	Yes
产品类型	RF Bipolar Transistors
工厂包装数量	3000
子类别	Transistors
单位重量	18 mg

商品其它信息

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型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
APT29F80J	Microsemi	晶体管	PDF数据手册	MOSFET Power FREDFET - MOS8	15:¥244.6563 25:¥224.757 50:¥218.0674 100:¥207.694	参考库存:34339
PMP5501G,135	Nexperia	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) MATCHED PAIR	暂无价格	参考库存:34344
FZT705TC	Diodes Incorporated	晶体管	PDF数据手册	达林顿晶体管 PNP Darlington	4,000:¥2.7233	参考库存:34349
DMN67D7L-13	Diodes Incorporated	晶体管	PDF数据手册	MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V	10,000:¥0.24634 30,000:¥0.23052 50,000:¥0.2147	参考库存:34354
STGB19N40LZ	STMicroelectronics	晶体管	PDF数据手册	IGBT 晶体管	1,000:¥7.8422 2,000:¥7.2659 5,000:¥6.9947 10,000:¥6.7235	参考库存:34359