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晶体管
NTF6P02T3G参考图片

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NTF6P02T3G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET -20V -6A P-Channel
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数量单价合计
1
¥6.3054
6.3054
10
¥5.3788
53.788
100
¥4.1358
413.58
500
¥3.6612
1830.6
4,000
¥2.5538
10215.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-223-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
10 A
Rds On-漏源导通电阻
70 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
400 mV
Vgs - 栅极-源极电压
2.5 V
Qg-栅极电荷
15 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
8.3 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.57 mm
长度
6.5 mm
系列
NTF6P02
晶体管类型
1 P-Channel
类型
MOSFET
宽度
3.5 mm
商标
ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值
12 S
下降时间
60 ns, 50 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
30 ns, 25 ns
工厂包装数量
4000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
60 ns, 75 ns
典型接通延迟时间
8 ns, 7 ns
单位重量
250 mg
商品其它信息
优势价格,NTF6P02T3G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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1:¥8.6106
10:¥6.9947
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1:¥3.2318
10:¥2.6555
100:¥1.6159
1,000:¥1.2543
2,000:¥1.06785
参考库存:37737
晶体管
MOSFET P-Chan 60V 8.8 Amp
1:¥7.5258
参考库存:6934
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 20V 1A
1:¥2.9154
10:¥2.2713
100:¥1.2317
1,000:¥0.92999
2,000:¥0.79891
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1:¥81.8346
10:¥67.0768
100:¥55.709
500:¥50.7935
参考库存:4278
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    50万现货SKU

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