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晶体管
DMN3013LFG-13参考图片

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DMN3013LFG-13

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
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数量单价合计
3,000
¥2.486
7458
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerDI3333-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
15 A
Rds On-漏源导通电阻
14.3 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
750 mV
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
5.7 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.16 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
2 ns, 2.2 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
6.2 ns, 6.7 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
9.7 ns, 10.4 ns
典型接通延迟时间
4.2 ns, 4.4 ns
单位重量
44 mg
商品其它信息
优势价格，DMN3013LFG-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BD239BTU
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Epitaxial Sil
1:¥5.0737
10:¥4.2149
100:¥2.7233
1,000:¥2.1696
参考库存:10561
BDP 948 H6327
Infineon Technologies
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANSISTOR
1:¥5.6048
10:¥4.6669
100:¥3.0171
1,000:¥2.4182
2,000:¥2.147
参考库存:5570
STB200NF03T4
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-Ch 30 Volt 120 Amp
1:¥26.668
10:¥22.6678
100:¥19.6733
250:¥18.6676
1,000:¥14.0572
2,000:查看
参考库存:9037
SI2333DDS-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET -12V Vds 8V Vgs SOT-23
1:¥3.2996
10:¥2.5086
100:¥1.8645
500:¥1.5368
1,000:¥1.1865
3,000:¥1.1865
参考库存:190564
CGHV14250F
Wolfspeed / Cree
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 1.2-1.4GHz, 250 Watt
1:¥2,673.4896
参考库存:4046

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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