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晶体管
FDN327N参考图片

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FDN327N

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库存:194,832(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.2996
3.2996
10
¥2.5651
25.651
100
¥1.3899
138.99
1,000
¥1.04525
1045.25
3,000
¥0.89948
2698.44
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SSOT-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
2 A
Rds On-漏源导通电阻
40 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
PowerTrench
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.12 mm
长度
2.9 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
FDN327N
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
1.4 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
11 S
下降时间
6.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
6.5 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
14 ns
典型接通延迟时间
6 ns
零件号别名
FDN327N_NL
单位重量
30 mg
商品其它信息
优势价格,FDN327N的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET SOT-23 P-CH ENHANCE
1:¥2.9154
10:¥1.9888
100:¥0.82942
1,000:¥0.56839
3,000:¥0.44522
参考库存:879598
晶体管
MOSFET Dual SAB MOSFET ARRAY VT=1.70V
1:¥27.5833
10:¥24.6679
25:¥22.2045
50:¥21.5943
参考库存:3015
晶体管
IGBT 模块 SLLIMM nano 2nd series IPM, 3 A, 600 V, 3-phase IGBT inverter bridge
1:¥62.0822
10:¥56.0932
25:¥53.4829
100:¥46.4091
参考库存:3137
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) DUAL NPN 11V 50MA SOT-363
1:¥3.2318
10:¥2.4182
100:¥1.3108
1,000:¥0.9831
3,000:¥0.85315
参考库存:4799
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-18GHZ 12W TQGaN25 PAE 73.3% Gain 21dB
100:¥291.766
300:¥274.2397
参考库存:4956
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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