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晶体管
IRFH8311TRPBF参考图片

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IRFH8311TRPBF

  • Infineon / IR
  • 新批次
  • MOSFET MOSFET, 30V, 50A, 2 33nC Qg, PQFN5x6
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1
¥7.684
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10
¥6.5653
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100
¥5.0398
503.98
500
¥4.4522
2226.1
1,000
¥3.5143
3514.3
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PQFN-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
80 A
Rds On-漏源导通电阻
2.1 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.35 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
30 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
3.6 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.83 mm
长度
6 mm
晶体管类型
1 N-Channel
类型
HEXFET Power MOSFET
宽度
5 mm
商标
Infineon / IR
正向跨导 - 最小值
83 S
下降时间
12 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
26 ns
工厂包装数量
4000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
21 ns
典型接通延迟时间
21 ns
零件号别名
SP001564136
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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