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晶体管
STGIPQ3H60T-HL参考图片

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STGIPQ3H60T-HL

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 模块 SLLIMM nano 2nd series IPM, 3 A, 600 V, 3-phase IGBT inverter bridge
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数量单价合计
1
¥62.0822
62.0822
10
¥56.0932
560.932
25
¥53.4829
1337.0725
100
¥46.4091
4640.91
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Carbide Modules
配置
Half Bridge
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.15 V
在25 C的连续集电极电流
3 A
封装 / 箱体
N2DIP-26
最大工作温度
+ 175 C
封装
Tube
系列
STGIPQ3H60T-HL
商标
STMicroelectronics
安装风格
Through Hole
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
360
子类别
IGBTs
商标名
SLLIMM
单位重量
4 mg
商品其它信息
优势价格,STGIPQ3H60T-HL的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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1:¥428.3039
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10:¥400.5624
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥166.9688
200:¥153.2167
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10:¥1,880.3539
25:¥1,854.6125
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参考库存:30925
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