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晶体管
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FDA20N50F

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库存:7,154(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥26.5098
26.5098
10
¥22.5887
225.887
100
¥19.5151
1951.51
250
¥18.5207
4630.175
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-3PN-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
500 V
Id-连续漏极电流
22 A
Rds On-漏源导通电阻
260 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
388 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
UniFET
封装
Tube
高度
20.1 mm
长度
16.2 mm
系列
FDA20N50F
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
下降时间
60 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
120 ns
工厂包装数量
450
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
100 ns
典型接通延迟时间
45 ns
单位重量
6.401 g
商品其它信息
优势价格,FDA20N50F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP NPN 1A 100V
1:¥5.0737
10:¥4.2601
100:¥2.7459
1,000:¥2.1922
2,000:¥1.8532
参考库存:30302
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T07D160W04S/CFM4F///REEL 13 Q2 NDP
1:¥936.4536
5:¥918.3171
10:¥887.9653
25:¥850.3928
参考库存:29874
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1015GN/FM2///REEL 13 Q2 DP
1:¥157.9062
5:¥150.9906
10:¥145.6909
25:¥127.0911
参考库存:29879
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS RET TAPE-7
1:¥3.0736
10:¥2.0679
100:¥0.86784
1,000:¥0.59212
3,000:¥0.46104
参考库存:33344
晶体管
MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS
1:¥10.4525
10:¥8.9157
100:¥6.8252
500:¥6.0342
800:¥4.7686
参考库存:29316
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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