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晶体管
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FQP22N30

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数量单价合计
1
¥20.2044
20.2044
10
¥17.1308
171.308
100
¥13.7521
1375.21
500
¥11.9893
5994.65
1,000
¥9.9101
9910.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
300 V
Id-连续漏极电流
21 A
Rds On-漏源导通电阻
160 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
170 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
QFET
封装
Tube
高度
16.3 mm
长度
10.67 mm
系列
FQP22N30
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
4.7 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
16 S
下降时间
100 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
230 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
85 ns
典型接通延迟时间
35 ns
零件号别名
FQP22N30_NL
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格,FQP22N30的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP -45V -800mA HFE/250
1:¥2.6103
10:¥1.7741
100:¥0.73789
1,000:¥0.50737
2,000:¥0.40002
参考库存:72514
晶体管
MOSFET SO-8 P-CH -30V
1:¥12.5204
10:¥10.6785
100:¥8.2264
500:¥7.2207
1,000:¥5.7065
2,500:¥5.7065
参考库存:21031
晶体管
MOSFET T6-D3F 40V NFET
1:¥15.9782
10:¥13.6052
100:¥10.9158
500:¥9.5259
1,500:¥7.3676
4,500:查看
参考库存:1198
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥219.6042
5:¥209.7732
10:¥203.1627
25:¥186.7212
参考库存:1615
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
1:¥388.8895
5:¥375.8267
10:¥363.6114
25:¥336.2541
参考库存:1322
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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