APT100GT120JU3详细信息_APT100GT120JU3相关参数PDF

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Microchip
产品种类	IGBT 模块
RoHS	是
产品	IGBT Silicon Carbide Modules
配置	Single
集电极—发射极最大电压 VCEO	1.2 kV
集电极—射极饱和电压	1.7 V
在25 C的连续集电极电流	140 A
栅极—射极漏泄电流	400 nA
Pd-功率耗散	480 W
封装 / 箱体	ISOTOP-4
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
封装	Tube
商标	Microchip / Microsemi
安装风格	SMD/SMT
栅极/发射极最大电压	20 V
产品类型	IGBT Modules
工厂包装数量	1
子类别	IGBTs

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
DTA123YCAT116	ROHM Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 预偏置 PNP -100mA -50V w/bias resistor	1:¥1.695 10:¥1.1413 100:¥0.47686 1,000:¥0.32996 3,000:¥0.25312	参考库存:35669
IRFR024TRLPBF	Vishay / Siliconix	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Chan 60V 14 Amp	1:¥9.7632 10:¥7.9891 100:¥6.1472 500:¥5.2997 3,000:¥3.9211 6,000:查看	参考库存:16826
2N7002E-T1-GE3	Vishay / Siliconix	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 60V 240mA 0.35W 3.0ohm @ 10V	1:¥4.3844 10:¥2.4634 100:¥1.3221 500:¥1.05994 3,000:¥1.05994	参考库存:712173
PMPB10XNEZ	Nexperia	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 20V single N-channel Trench MOSFET	1:¥3.842 10:¥3.1866 100:¥1.9323 1,000:¥1.5029 3,000:¥1.2882	参考库存:16880
MRFE6VS25NR1	NXP / Freescale	晶体管	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6E 25W50V TO270-2	1:¥215.5362 5:¥213.3101 10:¥198.8574 25:¥189.953 500:¥154.1433	参考库存:4962