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晶体管
JANTX2N2219AL参考图片

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JANTX2N2219AL

  • Microsemi
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
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数量单价合计
1
¥185.6477
185.6477
5
¥176.3478
881.739
10
¥171.7374
1717.374
25
¥157.8271
3945.6775
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-5-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
50 V
集电极—基极电压 VCBO
75 V
发射极 - 基极电压 VEBO
6 V
集电极—射极饱和电压
300 mV
最大直流电集电极电流
800 mA
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 200 C
直流电流增益 hFE 最大值
325 at 1 mA, 10 VDC
封装
Tray
商标
Microchip / Microsemi
直流集电极/Base Gain hfe Min
75 at 1 mA, 10 VDC
Pd-功率耗散
800 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格,JANTX2N2219AL的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Epitaxial Sil
1:¥5.0737
10:¥4.2149
100:¥2.7233
1,000:¥2.1696
参考库存:10561
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANSISTOR
1:¥5.6048
10:¥4.6669
100:¥3.0171
1,000:¥2.4182
2,000:¥2.147
参考库存:5570
晶体管
MOSFET N-Ch 30 Volt 120 Amp
1:¥26.668
10:¥22.6678
100:¥19.6733
250:¥18.6676
1,000:¥14.0572
2,000:查看
参考库存:9037
晶体管
MOSFET -12V Vds 8V Vgs SOT-23
1:¥3.2996
10:¥2.5086
100:¥1.8645
500:¥1.5368
1,000:¥1.1865
3,000:¥1.1865
参考库存:190564
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 1.2-1.4GHz, 250 Watt
1:¥2,673.4896
参考库存:4046
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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