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射频晶体管
MMRF5014H-500MHZ参考图片

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MMRF5014H-500MHZ

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF5014H-500MHZ/HWONLY///BOARDS NO MARK
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数量单价合计
1
¥9,605.00
9605
5
¥9,451.4782
47257.391
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
P-Channel
技术
GaN SiC
Id-连续漏极电流
350 mA
Vds-漏源极击穿电压
150 V
增益
18 dB
输出功率
125 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-360H-2SB
工作频率
1 MHz to 2700 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
通道数量
1 Channel
Pd-功率耗散
232 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
1
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 8 V, 0 V
Vgs th-栅源极阈值电压
- 2.3 V
零件号别名
935345452598
单位重量
500 mg
商品其它信息
优势价格,MMRF5014H-500MHZ的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor
10,000:¥0.89157
20,000:¥0.81473
50,000:¥0.78422
100,000:¥0.75258
参考库存:37481
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF7S24250N/FM2F///REEL 13 Q2 DP
1:¥1,100.959
5:¥1,079.602
10:¥1,043.9505
25:¥999.7675
250:¥896.4177
参考库存:37486
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥512.6019
参考库存:37491
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 80W-28V-500MHz PP
1:¥1,139.0739
10:¥1,005.8356
25:¥892.5757
50:¥845.9293
参考库存:37496
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1308H/CFM4F///REEL 13
1:¥1,646.297
5:¥1,609.572
10:¥1,576.5986
25:¥1,553.3206
50:¥1,496.9223
参考库存:37501
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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