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射频晶体管
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2SK3475TE12LF

  • Toshiba
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch Radio Freq 1A 3W 20V VDSS
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1
¥17.4472
17.4472
10
¥14.0572
140.572
100
¥11.2209
1122.09
500
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4915.5
1,000
¥8.1473
8147.3
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
1 A
Vds-漏源极击穿电压
20 V
增益
14.9 dB
输出功率
630 mW
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PW-Mini-3
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
工作频率
520 MHz
系列
2SK3475
类型
RF Power MOSFET
商标
Toshiba
Pd-功率耗散
3 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2.4 V
商品其它信息
优势价格，2SK3475TE12LF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MRFE6S9125NR1
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2SK3075(TE12L,Q)
Toshiba
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch Radio Freq 5A 20W 30V VDSS
1:¥51.641
10:¥41.4936
100:¥37.8776
250:¥34.1938
1,000:¥25.8205
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AFM907NT1
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power
1:¥19.6733
10:¥18.0574
25:¥16.3624
100:¥14.7578
1,000:¥11.0627
参考库存:8457

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