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射频晶体管
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BLF378

  • Advanced Semiconductor, Inc.
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor
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数量单价合计
1
¥1,110.338
1110.338
10
¥1,018.8984
10188.984
25
¥914.396
22859.9
50
¥809.8936
40494.68
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Advanced Semiconductor, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
18 A
Vds-漏源极击穿电压
125 V
Rds On-漏源导通电阻
300 mOhms
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-262A
封装
Tray
配置
Single
工作频率
225 MHz
商标
Advanced Semiconductor, Inc.
Pd-功率耗散
500 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压
7 V
单位重量
30 mg
商品其它信息
优势价格，BLF378的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PH2729-110M
MACOM
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管
1:¥2,633.1486
2:¥2,560.3088
5:¥2,501.6844
10:¥2,428.6073
参考库存:4430
PTVA102001EA-V1-R0
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
1:¥1,046.8659
50:¥1,046.8659
参考库存:4642
MRF151
Advanced Semiconductor, Inc.
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor
1:¥488.7024
10:¥464.2718
25:¥439.8299
50:¥415.3993
100:¥316.5808
参考库存:37910
DLP3010EVM-LC
Texas Instruments
射频晶体管
显示开发工具 DLP LIGHTCRAFTER DISPLAY 3010 EVM LC
1:¥6,356.2048
参考库存:4579
QPD0030
Qorvo
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-4GHz 45W GaN 48V
1:¥259.335
25:¥233.4354
100:¥210.0783
250:¥193.2526
参考库存:4971

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