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射频晶体管
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MMBTH81

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库存：42,550(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥1.7628
1.7628
10
¥1.2317
12.317
100
¥0.51528
51.528
1,000
¥0.35369
353.69
3,000
¥0.27685
830.55
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
系列
MMBTH81
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
PNP
直流集电极/Base Gain hfe Min
60
集电极—发射极最大电压 VCEO
20 V
发射极 - 基极电压 VEBO
3 V
集电极连续电流
0.05 A
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极—基极电压 VCBO
20 V
直流电流增益 hFE 最大值
60 at 5 mA at 10 V
高度
0.93 mm
长度
2.92 mm
工作频率
600 MHz
类型
RF Bipolar Small Signal
宽度
1.3 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
增益带宽产品fT
600 MHz (Min)
最大直流电集电极电流
0.05 A
Pd-功率耗散
225 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
MMBTH81_NL
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格，MMBTH81的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
1014-6A
Microchip / Microsemi
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 L-Band/Bipolar Radar Transistor
1:¥1,525.5791
2:¥1,488.8541
5:¥1,473.0228
10:¥1,451.8918
参考库存:34956
TPV595A
Advanced Semiconductor, Inc.
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥1,551.2414
10:¥1,423.461
25:¥1,277.465
50:¥1,131.469
参考库存:34961
PTRA083818NF-V1-R5
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power Amplifier
500:¥738.2064
参考库存:34966
PTVA082407NF-V1-R5
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
500:¥548.8636
参考库存:34971
D1009UK
Semelab / TT Electronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 150W-28V-500MHz PP
50:¥1,105.4225
参考库存:34976

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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