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射频晶体管
BFR 181W H6327参考图片

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BFR 181W H6327

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
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数量单价合计
1
¥2.5312
2.5312
10
¥1.8871
18.871
100
¥0.70738
70.738
1,000
¥0.54579
545.79
3,000
¥0.46104
1383.12
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
系列
BFR181
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
70
集电极—发射极最大电压 VCEO
12 V
发射极 - 基极电压 VEBO
2 V
集电极连续电流
20 mA
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-323
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
工作频率
8 GHz
类型
RF Bipolar Small Signal
商标
Infineon Technologies
Pd-功率耗散
175 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
BFR181WH6327XT BFR181WH6327XTSA1 SP000750418
单位重量
60 mg
商品其它信息
优势价格，BFR 181W H6327的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
D2229UK
Semelab / TT Electronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 2.5W-12.5V-1GHz SE
100:¥243.3568
250:¥239.1984
参考库存:37542
MHT1006NT1
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 728-2700 MHz 1.26 W Avg. 28 V
1:¥100.0502
10:¥92.0498
25:¥87.9818
100:¥77.6875
1,000:¥61.5511
参考库存:6471
MHT2000GNR1
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MOSFET 2450 MHz 25 W CW 28 V
500:¥312.8179
参考库存:37549
PXAC192908FV-V1-R0
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥1,036.2665
参考库存:37554
AFT20P060-4GNR3
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1805-2170 MHz 6.3 W Avg. 28 V
1:¥307.0549
5:¥291.5287
10:¥286.455
25:¥259.7192
250:¥229.9098
参考库存:37559

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