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射频晶体管
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PXAC192908FV-V1-R0

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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50
¥1,036.2665
51813.325
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
65 V
Rds On-漏源导通电阻
110 mOhms
增益
14 dB
输出功率
240 W
最大工作温度
+ 225 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
H-37275G-6/2
封装
Reel
工作频率
1930 MHz to 1995 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Wolfspeed / Cree
通道数量
2 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
商品其它信息
优势价格，PXAC192908FV-V1-R0的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SD2933-03W
STMicroelectronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HF/VHF/UHF RF N-Ch 300W 15dB 175MHz
50:¥874.1341
100:¥830.4144
参考库存:35366
PTRA094252FC-V1-R2
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
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250:¥878.2021
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BFR840L3RHESDE6327XTSA1
Infineon Technologies
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1:¥4.8364
10:¥4.068
100:¥2.486
1,000:¥1.9097
15,000:¥1.4464
参考库存:4725
BFP650H6327XTSA1
Infineon Technologies
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥3.616
10:¥3.0171
100:¥1.8419
1,000:¥1.4238
3,000:¥1.2091
参考库存:50912
D2009UK
Semelab / TT Electronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 10W-28V-1GHz PP
50:¥619.5564
参考库存:35380

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