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射频晶体管
BFP 196W H6327参考图片

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BFP 196W H6327

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
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¥2.3617
23.617
100
¥1.01474
101.474
1,000
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784.22
3,000
¥0.59212
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
系列
BFP196
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO
12 V
发射极 - 基极电压 VEBO
2 V
集电极连续电流
150 mA
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-343
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
直流电流增益 hFE 最大值
140
类型
RF Bipolar Small Signal
商标
Infineon Technologies
增益带宽产品fT
7.5 GHz
Pd-功率耗散
700 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
BFP196WH6327XT BFP196WH6327XTSA1 SP000745250
单位重量
6.700 mg
商品其它信息
优势价格，BFP 196W H6327的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MMRF1005HR5
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1:¥3,678.7941
5:¥3,447.8108
参考库存:40287
2307
Microchip / Microsemi
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管
1:¥1,169.8099
2:¥1,146.837
5:¥1,108.643
10:¥1,088.7437
参考库存:40292
BFP 196 E6327
Infineon Technologies
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR
1:¥2.9945
10:¥2.147
100:¥0.99101
1,000:¥0.76049
3,000:¥0.64523
参考库存:31246

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