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射频晶体管

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MRF587

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数量单价合计
1
¥645.456
645.456
10
¥537.88
5378.8
25
¥484.092
12102.3
50
¥430.3831
21519.155
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Advanced Semiconductor, Inc.
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
晶体管类型
Bipolar Power
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
50
集电极—发射极最大电压 VCEO
17 V
发射极 - 基极电压 VEBO
2.5 V
集电极连续电流
200 mA
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
Case244-04
封装
Tray
工作频率
500 MHz
类型
RF Bipolar Power
商标
Advanced Semiconductor, Inc.
Pd-功率耗散
5 W
产品类型
RF Bipolar Transistors
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格，MRF587的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MRFE6VP6300-230
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRFE6VP6300-230
1:¥7,538.23
5:¥7,457.2429
10:¥7,377.1033
参考库存:36815
AFT18S230SR5
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AF 1.8GHZ 230W NI780S-6
50:¥786.2992
100:¥731.2908
参考库存:36820
AFT26HW050SR3
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV9 2.6GHz 50W NI780-4S4
1:¥607.262
5:¥589.5888
10:¥576.9893
25:¥552.7056
250:¥490.081
参考库存:36825
AGR09085EF
Advanced Semiconductor, Inc.
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 865-895MHz 105Watt Gain 18dB
1:¥620.483
5:¥569.3844
10:¥510.986
25:¥452.5876
参考库存:36830
MRF173
MACOM
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-175MHz 80Watts 28Volt Gain 13dB
1:¥349.2378
10:¥326.57
25:¥314.2756
50:¥302.0603
参考库存:4044

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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