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射频晶体管

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AFT26HW050SR3

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV9 2.6GHz 50W NI780-4S4
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数量单价合计
1
¥607.262
607.262
5
¥589.5888
2947.944
10
¥576.9893
5769.893
25
¥552.7056
13817.64
250
¥490.081
122520.25
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
技术
Si
增益
15 dB
输出功率
9 W
封装
Cut Tape
封装
Reel
工作频率
2620 MHz to 2690 MHz
系列
AFT26HW050S
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
零件号别名
935311158128
单位重量
4.652 g
商品其它信息
优势价格，AFT26HW050SR3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PTFB091507FH-V1-R250
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥518.67
参考库存:38174
MRF1511NT1
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET PLD1.5N
1:¥83.7556
10:¥76.9982
25:¥73.6082
100:¥65.088
1,000:¥51.5619
参考库存:9768
UF2840G
MACOM
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 100-500MHz 40Watts 28Volt Gain 10dB
1:¥1,104.4959
10:¥994.0836
参考库存:4865
PD55015S-E
STMicroelectronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER RF Transistor
1:¥156.9118
5:¥155.2959
10:¥144.7643
25:¥138.2329
参考库存:38183
BFP196WNH6327XTSA1
Infineon Technologies
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS
1:¥3.0736
10:¥2.147
100:¥0.99101
1,000:¥0.76049
3,000:¥0.64523
参考库存:22337

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    50万现货SKU

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