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射频晶体管
BFS19,215参考图片

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BFS19,215

  • Nexperia
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 TRANS MED FREQ
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数量单价合计
1
¥2.9945
2.9945
10
¥2.2261
22.261
100
¥1.2091
120.91
1,000
¥0.90626
906.26
3,000
¥0.78422
2352.66
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Nexperia
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO
20 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极连续电流
0.03 A
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极—基极电压 VCBO
30 V
直流电流增益 hFE 最大值
65
高度
1 mm
长度
3 mm
工作频率
260 MHz
类型
RF Bipolar Small Signal
宽度
1.4 mm
商标
Nexperia
增益带宽产品fT
260 MHz
最大直流电集电极电流
0.03 A
Pd-功率耗散
250 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
BFS19 T/R
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格,BFS19,215的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MOSFET 10-500 MHz 1000 W 50 V
1:¥1,342.6208
5:¥1,312.6532
10:¥1,285.8383
25:¥1,266.8656
50:¥1,220.8294
参考库存:38846
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 Bipolar/LDMOS Transistor
25:¥2,452.8119
参考库存:38851
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50:¥1,097.7385
参考库存:38856
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 900MHZ 120W OM780-2
1:¥410.5516
5:¥398.6414
10:¥390.1212
25:¥373.6684
250:¥331.3386
参考库存:5920
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥646.5295
参考库存:38863
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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